සිලිකන් කාබයිඩ් රොඩ් SiC තාපන මූලද්රව්ය
විස්තර
සිලිකන් කාබයිඩ් සැරයටිය SiC තාපන මූලද්‍රව්‍යයේ ඉහළ උෂ්ණත්ව ප්රතිරෝධය, ඔක්සිකරණ ප්රතිරෝධය, විඛාදන ප්රතිරෝධය, වේගවත් උණුසුම, දිගු ආයු කාලය, ඉහළ උෂ්ණත්වයකදී කුඩා විරූපණය, පහසු ස්ථාපනය සහ නඩත්තුව සහ හොඳ රසායනික ස්ථායීතාවයේ ලක්ෂණ ඇත.
සිලිකන් කාබයිඩ් රොඩ් SiC තාපන මූලද්රව්ය හැඳින්වීම
සිලිකන් කාබයිඩ් සැරයටිය ඉහළ උෂ්ණත්ව ප්රතිරෝධය, ඔක්සිකරණ ප්රතිරෝධය, විඛාදන ප්රතිරෝධය, වේගවත් උණුසුම, දිගු ආයු කාලය, ඉහළ උෂ්ණත්වයකදී කුඩා විරූපණය, පහසු ස්ථාපනය සහ නඩත්තුව සහ හොඳ රසායනික ස්ථායීතාවයේ ලක්ෂණ ඇත.ස්වයංක්රීය ඉලෙක්ට්රොනික පාලන පද්ධතිය සමඟ ගැලපීම, එය නිවැරදි නියත උෂ්ණත්වය ලබා ගත හැකි අතර, නිෂ්පාදන ක්රියාවලියේ අවශ්යතා අනුව වක්රය අනුව උෂ්ණත්වය ස්වයංක්රීයව සකස් කළ හැකිය.සිලිකන් කාබයිඩ් (SiC) තාපන මූලද්රව්යය පහසු, ආරක්ෂිත සහ විශ්වසනීයයි.එය ඉලෙක්ට්රොනික, චුම්බක ද්‍රව්‍ය, කුඩු ලෝහ විද්‍යාව, පිඟන් මැටි, වීදුරු, අර්ධ සන්නායක, විශ්ලේෂණාත්මක පරීක්ෂණ, විද්‍යාත්මක පර්යේෂණ යනාදී ඉහළ උෂ්ණත්ව ක්ෂේත්‍රවල බහුලව භාවිතා වී ඇත. එය උමං උදුන, රෝලර් උදුන, වීදුරු උදුන, රික්ත උදුන, මැෆල් උදුන බවට පත්ව ඇත. , විවිධ උනුසුම් උපකරණ සඳහා උණුකරන උදුන සහ විදුලි තාපන මූලද්රව්ය.
සිලිකන් කාබයිඩ් තාපන මූලද්රව්ය වර්ග
1.RA(U-1),දොර වැනි ආකාරයේ සිලිකන් කාබයිඩ් තාපන මූලද්රව්යය
මෙහි පෙන්වා ඇති RA(U-1),දොර වැනි ආකාරයේ සිලිකන් කාබයිඩ් තාපන මූලද්‍රව්‍යයේ ED(rod) මූලද්‍රව්‍යයේ විද්‍යුත් ලක්ෂණ ඇත.සීතල කෙළවර උණුසුම් කලාපයට ලම්බකව සවි කර ඇත.තිරස් කොටස උණුසුම් කලාපයයි.
2.SG (තනි සර්පිලාකාර) වර්ගයේ සිලිකන් කාබයිඩ් තාපන මූලද්රව්ය
SG වර්ගයේ සිලිකන් කාබයිඩ් තාපන මූලද්රව්ය මෙම ඉහළ ඝනත්ව SG වර්ගයේ සිලිකන් කාබයිඩ් තාපන මූලද්රව්ය උණුසුම් කලාපයේ ප්රතිරෝධය වැඩි කිරීම සඳහා සර්පිලාකාරව කපා ඇත.මෙම මූලද්රව්යය දෙකම කෙළවරේ රැහැන්වීම සඳහා නිර්මාණය කර ඇත.
3.ED(RR) සැරයටිය සිලිකන් කාබයිඩ් තාපන මූලද්රව්ය
ED වර්ගය යනු සම්මත පන්දම් උදුන SiC තාපන මූලද්රව්යය වේ.අධි-ඝනත්ව ස්වයං-බන්ධිත සිලිකන් කාබයිඩ් මූලද්‍රව්‍යයක්, ED වර්ගය විෂ්කම්භය සහ දිග විශාල පරාසයකින් ලබා ගත හැකිය.
4.U වර්ගයේ සිලිකන් කාබයිඩ් තාපන මූලද්රව්යය
U Type Silicon Carbide heating Element Torch Furnace silca U Type Silicon Carbide තාපන මූලද්රව්ය නිෂ්පාදනය කරනු ලබන්නේ ප්‍රවේශමෙන් ගැලපෙන SiC දඬු දෙකක් ගෙන ඝන වූ සිලිකන් කාබයිඩ් පාලමක් වෑල්ඩින් කිරීමෙනි.
5.SGR(SCR,SEU) වර්ගයේ සිලිකන් කාබයිඩ් තාපන මූලද්රව්ය
SGR(SEU) වර්ගයේ සිලිකන් කාබයිඩ් තාපන මූලද්රව්ය මෙම අධි-ඝනත්ව SGR ද්විත්ව සර්පිලාකාර සිලිකන් කාබයිඩ් තාපන මූලද්රව්ය මූලද්‍රව්‍යයේ එකම කෙළවරේ විද්‍යුත් අවසන් කිරීම් දෙකම තැබීමට කපා ඇත.
6.UX (slot) වර්ගය සිලිකන් කාබයිඩ් තාපන මූලද්රව්ය.
7.DB(GC) SiC තාපන මූලද්රව්ය
DB Dumbbell වර්ගය - (විශාල කරන ලද Cold End) - Silicon Carbide SiC තාපන මූලද්රව්ය මුල්ම තාපන මූලද්රව්ය සැලසුම් වලින් එකක් වන DB වර්ගයේ SiC තාපන මූලද්‍රව්‍යයේ විශාල කරන ලද සීතල කෙළවර මුලින් විශාල කර ඇත්තේ සීතල අවසානය වැඩි කිරීම සඳහා ය.
8.Silca Type W-Three Phase(Multi-leg) සිලිකන් කාබයිඩ් තාපන මූලද්රව්යය
තෙකලා සිලිකන් කාබයිඩ් තාපන මූලද්රව්ය සිලිකන් කාබයිඩ් තාපන මූලද්රව්ය රතු පැහැයෙන් ස්වයං බන්ධනය වන අධි සංශුද්ධතාවය, අධි-ඝනත්වය, සිලිකන් කාබයිඩ් ධාන්ය වලින් සමන්විත වේ.Silca Type W - තෙකලා සිලිකන් කාබයිඩ් තාපන මූලද්රව්ය ඉහළ උෂ්ණත්වවලදී පිළිම ගැන්වීම.